業(yè)內消息，臺積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運營(yíng)官張曉強在2024技術(shù)論壇上宣布，臺積電已成功集成不同晶體管架構，在實(shí)驗室做出CFET（互補式場(chǎng)效應晶體管），臺積電今年 3nm 制程工藝將擴增三倍。

張曉強表示，CFET預計將導入先進(jìn)邏輯制程以及下世代先進(jìn)邏輯制程，臺積電研發(fā)部門(mén)仍尋求導入新材料，實(shí)現讓單一邏輯芯片容納超2000億顆晶體管，推動(dòng)半導體技術(shù)持續創(chuàng )新。

臺積電認為，半導體黃金時(shí)刻已到來(lái)，而未來(lái)人工智能（AI）芯片發(fā)展，接近99%將靠臺積電先進(jìn)邏輯技術(shù)和先進(jìn)封裝支持，而臺積電憑借技術(shù)創(chuàng )新，在未來(lái)將發(fā)揮芯片更高性能及更優(yōu)異能耗表現。

張曉強表示2nm進(jìn)展順利，采用納米片技術(shù)，目前納米片轉換表現已經(jīng)達到目標90%、轉換成良率是超過(guò)80%，預計2025年實(shí)現技術(shù)量產(chǎn)。

據了解，臺積電在2nm基礎下，全球首創(chuàng )的A16制程技術(shù)，搭配獨家開(kāi)發(fā)的背面供電技術(shù)，讓產(chǎn)出的芯片在相同速度下性能比2nm再高出8%~10%；在相同面積下，能耗減少15%~20%。臺積電計劃在2026年將A16導入量產(chǎn)，首顆芯片將用于數據中心高性能計算（HPC）芯片。

此外，臺積電成功在實(shí)驗室集成P-FET和N-FET二種不同型態(tài)晶體管，做出CFET架構的芯片，這是2nm采用納米片（Nano Sheet）架構創(chuàng )新后，下一個(gè)全新晶體管架構創(chuàng )新。

張曉強表示，繼CFET后，臺積電研發(fā)人員將繼續尋求更多集成更多晶體管新材料和創(chuàng )新架構，比如Ws2或WoS2等無(wú)機納米管或納米碳管，意味著(zhù)臺積電未來(lái)將CFET導入更先進(jìn)埃米級制程外，也會(huì )持續推動(dòng)更先進(jìn)晶體管架構創(chuàng )新。

另外，負責3nm量產(chǎn)的資深廠(chǎng)長(cháng)黃遠國指出，臺積電3nm制程今年將擴增三倍，但仍供不應求，且臺積電今年還會(huì )在海內外興建七座工廠(chǎng)，包含先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝及成熟制程，全力應對客戶(hù)需求。

黃遠國表示，臺積電從2020到2024年在3nm、5nm、7nm制程，產(chǎn)能復合年均增長(cháng)率達25％，特殊制程從2020到2024年復合年均增長(cháng)率為10％，車(chē)用芯片出貨復合年均增長(cháng)率約為50％。

與此同時(shí)，臺積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的比重也在穩步增長(cháng)，從2020年的61%預計到2024年將達到67%。

值得一提的是，在2022至2023年間，臺積電平均每年建設五個(gè)工廠(chǎng)，而今年計劃建設的工廠(chǎng)數量增至七個(gè)，包括在中國臺灣建設三個(gè)晶圓廠(chǎng)、兩個(gè)封裝廠(chǎng)以及在海外建設兩個(gè)工廠(chǎng)。據了解，其中包含中國臺灣新竹兩座2nm、高雄一座2nm廠(chǎng)，臺中、嘉義各一座先進(jìn)封裝廠(chǎng)，海外有日本熊本二廠(chǎng)、德國德勒斯頓廠(chǎng)開(kāi)始動(dòng)工。