業(yè)內消息,臺積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運營(yíng)官張曉強在2024技術(shù)論壇上宣布,臺積電已成功集成不同晶體管架構,在實(shí)驗室做出CFET(互補式場(chǎng)效應晶體管),臺積電今年 3nm 制程工藝將擴增三倍。
張曉強表示,CFET預計將導入先進(jìn)邏輯制程以及下世代先進(jìn)邏輯制程,臺積電研發(fā)部門(mén)仍尋求導入新材料,實(shí)現讓單一邏輯芯片容納超2000億顆晶體管,推動(dòng)半導體技術(shù)持續創(chuàng )新。
臺積電認為,半導體黃金時(shí)刻已到來(lái),而未來(lái)人工智能(AI)芯片發(fā)展,接近99%將靠臺積電先進(jìn)邏輯技術(shù)和先進(jìn)封裝支持,而臺積電憑借技術(shù)創(chuàng )新,在未來(lái)將發(fā)揮芯片更高性能及更優(yōu)異能耗表現。
張曉強表示2nm進(jìn)展順利,采用納米片技術(shù),目前納米片轉換表現已經(jīng)達到目標90%、轉換成良率是超過(guò)80%,預計2025年實(shí)現技術(shù)量產(chǎn)。
據了解,臺積電在2nm基礎下,全球首創(chuàng )的A16制程技術(shù),搭配獨家開(kāi)發(fā)的背面供電技術(shù),讓產(chǎn)出的芯片在相同速度下性能比2nm再高出8%~10%;在相同面積下,能耗減少15%~20%。臺積電計劃在2026年將A16導入量產(chǎn),首顆芯片將用于數據中心高性能計算(HPC)芯片。
此外,臺積電成功在實(shí)驗室集成P-FET和N-FET二種不同型態(tài)晶體管,做出CFET架構的芯片,這是2nm采用納米片(Nano Sheet)架構創(chuàng )新后,下一個(gè)全新晶體管架構創(chuàng )新。
張曉強表示,繼CFET后,臺積電研發(fā)人員將繼續尋求更多集成更多晶體管新材料和創(chuàng )新架構,比如Ws2或WoS2等無(wú)機納米管或納米碳管,意味著(zhù)臺積電未來(lái)將CFET導入更先進(jìn)埃米級制程外,也會(huì )持續推動(dòng)更先進(jìn)晶體管架構創(chuàng )新。
另外,負責3nm量產(chǎn)的資深廠(chǎng)長(cháng)黃遠國指出,臺積電3nm制程今年將擴增三倍,但仍供不應求,且臺積電今年還會(huì )在海內外興建七座工廠(chǎng),包含先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝及成熟制程,全力應對客戶(hù)需求。
黃遠國表示,臺積電從2020到2024年在3nm、5nm、7nm制程,產(chǎn)能復合年均增長(cháng)率達25%,特殊制程從2020到2024年復合年均增長(cháng)率為10%,車(chē)用芯片出貨復合年均增長(cháng)率約為50%。
與此同時(shí),臺積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的比重也在穩步增長(cháng),從2020年的61%預計到2024年將達到67%。
值得一提的是,在2022至2023年間,臺積電平均每年建設五個(gè)工廠(chǎng),而今年計劃建設的工廠(chǎng)數量增至七個(gè),包括在中國臺灣建設三個(gè)晶圓廠(chǎng)、兩個(gè)封裝廠(chǎng)以及在海外建設兩個(gè)工廠(chǎng)。據了解,其中包含中國臺灣新竹兩座2nm、高雄一座2nm廠(chǎng),臺中、嘉義各一座先進(jìn)封裝廠(chǎng),海外有日本熊本二廠(chǎng)、德國德勒斯頓廠(chǎng)開(kāi)始動(dòng)工。